Deneysel olarak karakteristiklerini belirlemeye çalıştığımız arayüzey doğal oksit tabakalı Al/p-Si/Al metal/oksit tabaka/yarıiletken veya diğer bir adıyla metal/yalıtkan tabaka/yarıiletken (MIS) yapılar elde edilmiştir. Bu yapı için taban malzeme olarak 1-10 Ω-cm özdirençli p-Si yarıiletkeni kullanılmıştır. Arka yüzeyi omik kontaklı olan bu p-Si dilim, laboratuvar ortamında ön parlak yüzeyi üzerinde doğal oksit SiO2 tabakasının oluşması sağlanmıştır. Diyot parametrelerinin elde edilmesi için, yaygın olarak kullanılan, farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V) kondüktans-gerilim (G-V) ölçümlerinden Al/p-Si MIS yapının deneysel frekans admittans karakteristikleri elde edilmiştir. Bu karakteristiklerinden, gerçek 𝜀′ ve sanal dielektrik 𝜀′′ sabiti, loss-tanjant (𝜀′′/𝜀′), gerçek 𝑀′ ve sanal elektriksel modulüs 𝑀′′ ve ac iletkenliği 𝜎𝑎𝑐 gibi parametreleri hesaplanmış ve gerekli grafikler çizimleri ve yorumları yapılmıştır.
Metal/oksit tabaka/yarıiletken (MOS) Schottky diyotlar Özellikler kapasite-kondüktans Dielektrik Spektroskopi
Al/p-Si/Al metal/oxide layer/semiconductor or so-called metal/insulating layer/semiconductor (MIS) structures with interfacial native oxide layer are experimentally determined. For this structure, p-Si semiconductor with 1-10 Ω-cm resistivity was used as base material. The native oxide SiO2 layer was formed on the front polished surface the p-Si wafer in the laboratory environment. In order to obtain diode parameters, it was determined the experimental frequency admittance characteristics of the Al/p-Si MIS structure from commonly used capacitance-voltage (C-V) conductance-voltage (G-V) measurements at different frequencies, and parameters such as the real 𝜀′ and imaginary dielectric 𝜀′′ constant, loss-tangent (𝜀′′/𝜀′), real 𝑀′ and imaginary electrical modulus 𝑀′′ and ac conductivity σac were calculated and interpreted.
Metal/oxide layer/semiconductor (MIS) Schottky diodes Dielectric Properties Capacitance-conductance Dielectric Spectroscopy
Primary Language | Turkish |
---|---|
Subjects | Electrical Engineering |
Journal Section | Elektrik Elektronik Mühendisliği / Electrical Electronic Engineering |
Authors | |
Publication Date | March 1, 2020 |
Submission Date | August 28, 2019 |
Acceptance Date | September 24, 2019 |
Published in Issue | Year 2020 Volume: 10 Issue: 1 |